氣體中微量水份的測(cè)定一露點(diǎn)法和氧化鋁電容法

氣體中微量水份的測(cè)定一露點(diǎn)法和氧化鋁電容法

作　　者：黎修祺 駱如枋 毛平天

機(jī)構(gòu)地區(qū)：中*科學(xué)院上海冶金研究所

出　　處：《低溫與特氣》1986年第4期 61-65,共5頁(yè)
Low Temperature and Specialty Gases

摘　　要：在半導(dǎo)體材料及電子器件生產(chǎn)中，要用到諸如氫、氮、氧、氬和氦等高純氣體，氣體純度嚴(yán)重影響產(chǎn)品質(zhì)量。如氫，氮等氣體及其流經(jīng)的系統(tǒng)中的水份和氧，對(duì)硅及Ⅲ一V族化合物是 其有害的雜質(zhì)。在硅外延工藝中，氫中水份達(dá)100vpm時(shí)，硅外延層會(huì)變成多晶結(jié)構(gòu)。在MOS大規(guī)模集成電路的硅柵多晶薄膜工藝中，若稀釋氣體中含有微量水份，使多晶硅薄膜中夾有“氧化硅集團(tuán)”，從而在刻蝕多晶硅薄膜時(shí)，造成多晶硅脫落，致使電學(xué)性能變壞。由上可知，對(duì)高純氣體及其流經(jīng)系統(tǒng)中的微量氧和水份必須進(jìn)行監(jiān)測(cè)和控制。

關(guān) 鍵 詞：微量水份 電容法 氧化鋁 露點(diǎn)法 大規(guī)模集成電路 多晶硅薄膜 測(cè)定 高純氣體 半導(dǎo)體材料 電子器件 產(chǎn)品質(zhì)量 氣體純度 外延工藝 多晶結(jié)構(gòu) 硅外延層 薄膜工藝 稀釋氣體 電學(xué)性能 化合物 MOS 氧化硅 微量氧 系統(tǒng) 雜質(zhì) 硅柵